该研究机构2日发表声明说，研究人员已成功将一种名为“横向漂移电场光电探测器”的元件置入CMOS图像传感器，从而大大提高了数据的读取速度。该技术目前已申请专利。

　　使用光电元件“横向漂移电场光电探测器”可令CMOS传感器的读取速度提高百倍，这一技术在需要大像素、高读取速度的领域应用前景广阔。高速CMOS图像传感器样品目前已制作完成，预计明年可实现批量生产。